Les MRAM commutent toujours plus vite

Alors que les MRAM les plus rapides écrivent aujourd’hui une information en 10 à 30 nanosecondes, la technologie récemment démontrée par Spintec et Crocus Technology se contente de seulement 0,2 à 0,3 ns ! Elle utilise un composant très proche d’un oscillateur radiofréquence, dans lequel l’application de « pulses » de courant ultra-brefs – 400 picosecondes – provoque un demi-tour de l’aimantation de la couche de stockage ; ce changement d’état équivaut à l’écriture d’une information. La commutation pourra être encore plus rapide en augmentant l’intensité du courant.

Après cette démonstration, les chercheurs développent maintenant un composant 100 % adapté à l’application mémoire. Ils espèrent atteindre des vitesses de commutation comparables à celles des mémoires SRAM… avec la non-volatilité en plus.

Contact : bernard.dieny@cea.fr

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