Actualités :

01 janvier 2023

Dispositifs photoniques IV-IV à déformation pilotable : application à l’émission et la détection de lumière

La déformation de la maille cristalline d’un semi-conducteur est un outil très puissant permettant de contrôler de nombreuses propriétés telles que sa longueur d’onde d’émission, sa mobilité … Un enjeu de premier plan est de pouvoir générer cette déformation dans des gammes importantes (multi%), et de manière réversible et contrôlée. L’amplification locale de la déformation […] >>

01 janvier 2023

Electronique Cryo-CMOS : effets thermiques et des contraintes dans les transistors MOSFET FDSOI jusqu’à très basse température

Dans le cadre du développement de la cryo-électronique, i.e. l’extension du domaine d’opération de l’électronique digitale ou analogique à des températures cryogéniques jusqu’à quelques dizaines de mK, en particuliers pour les applications quantiques, le but du projet post-doctoral est de poursuivre l’effort de modélisation et de caractérisation de la technologie FDSOI à basse température (4K […] >>

01 janvier 2023

Modélisation des qubits de spins silicium et germanium

Les qubits de spin silicium/germanium ont fait des progrès remarquables au cours des deux dernières années. Dans ces dispositifs, l’information élémentaire est stockée sous la forme d’une superposition cohérente des états de spin d’un électron dans une hétérostructure Si/SiGe, ou d’un trou dans une hétérostructure Ge/SiGe. Ces spins peuvent être manipulés électriquement grâce au couplage […] >>

01 janvier 2023

Développement de matériaux antiférroélectriques par ALD pour des capacitances MAFM

Ce projet ambitionne de développer et d’intégrer de très fines couches d’oxydes fonctionnels pour une nouvelle classe de capacités AF (antiferroélectriques) à très forte densité (>20 J.cm-3). Le sujet sera focalisé plus particulièrement sur les couches AFE ultraminces et conformes à base d’HfO2 et/ou de ZrO2 réalisées par ALD (Atomic Layer Deposition). Les propriétés AF […] >>

01 janvier 2023

Développement d’algorithmes d’intelligence artificielle pour la localisation bande étroite

Les signaux bande étroite sont largement utilisés dans le contexte des réseaux de télécommunication faible consommation, qui sont l’un des composants clé de l’internet des objets (IoT). Cependant, ces signaux ne disposant que d’une bande de fréquence limitée, ils sont peu adaptés à de la localisation de précision, en particulier dans des environnements complexes tels […] >>
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