Actualités : gravure

26 août 2022

Dispositifs photoniques IV-IV à déformation pilotable : application à l’émission et la détection de lumière

La déformation de la maille cristalline d’un semi-conducteur est un outil très puissant permettant de contrôler de nombreuses propriétés telles que sa longueur d’onde d’émission, sa mobilité … Un enjeu de premier plan est de pouvoir générer cette déformation dans des gammes importantes (multi%), et de manière réversible et contrôlée. L’amplification locale de la déformation […] >>

28 octobre 2021

Technologie avancée de plasma pulsé pour la structuration de Fins de Si à fort facteur de forme

Contexte : Aujourd’hui, les dernières générations de microprocesseurs sont basées sur des architectures tridimensionnelles FinFET avec des longueurs de canal (Fin) de l’ordre de 13-15 nm. Cette architecture est envisagée jusqu’au noeud technologique 3nm prévu en 2023. Audelà, une transition vers des architectures plus complexes du type «Nanosheet» avec des dimensions encore plus agressives sera […] >>

28 octobre 2021

Développement de procédés de gravure plasma pour la fabrication de Nano-sources UV

Contexte : Les diodes électroluminescentes (LED) UV remplacent progressivement les lampes à mercure traditionnelles grâce à leur très faible consommation, leur longue durée de vie et leur grande compacité. Aujourd’hui, ces LED UV sont réalisées à partir de semi-conducteurs nitrures III-N (GaN, AlN et InN) crûs par épitaxie en couche minces pour réaliser des puits […] >>

28 octobre 2021

Diagnostic d’un nouveau type de plasma pulsé pour la fabrication de dispositifs avancés

Contexte : La fabrication des nanostructures qui prennent place (entre autres) dans les circuits intégrés repose sur l’enchainement d’étapes technologiques de dépôt du matériaux, de lithographie pour former un masque représentant le motif à créer et enfin de gravure par plasma du matériau a travers le masque. Avec les dimensions actuelles de l’ordre de 5 […] >>

18 septembre 2020

Développement de procédés de gravure plasma pour la fabrication de Nano-sources UV

Contexte : Les diodes électroluminescentes (LED) UV remplacent progressivement les lampes à mercure traditionnelles grâce à leur très faible consommation, leur longue durée de vie et leur grande compacité. Aujourd’hui, ces LED UV sont réalisées à partir de semi-conducteurs nitrures III-N (GaN, AlN et InN) crûs par épitaxie en couche minces pour réaliser des puits […] >>
En naviguant sur notre site, vous acceptez que des cookies soient utilisés pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d’intérêts. En savoir plus
X