Actualités :

22 novembre 2016

Techniques de Caractérisation du blindage électromagnétique 20kHz-3GHz

Niveau du candidat :Master 2 ou ingénieur Durée :3 ans Domaines de compétences : Electromagnétisme, Microondes. Laboratoire de recherche : IMEP-LaHC, Université Grenoble Alpes Lieu de thèse : Laboratoire IMEP-LaHC, Plateforme Pheline – CSTB, 24 rue Joseph Fourier, 38400 St Martin d’Hères. Thématique : Blindage nouvelle génération à base de techniques textiles et polymères pour […] >>

19 septembre 2016

Vers une rupture technologique des procédés plasma pour la nanostructuration de la matière avec une précision sub-nanométrique

Pour les nœuds technologiques CMOS avancés sub-20nm, l’industrie du semi-conducteur fait face à un défi sans précédent, qui est de structurer la matière dans des gammes de dimensions nanométriques avec une précision sub-nanométrique, sans endommagement. L’approche dite « top down » qui combine une étape de lithographie suivie d’une étape de gravure par plasma est […] >>

19 septembre 2016

Fabrication, modélisation et caractérisation de transducteurs mécaniques à base de nanofils piézoélectriques

    Mots clefs : Nanotechnologies, Nano fils, Piézoélectricité, Physique du semi-conducteur et technologie, modélisation multi-physique, nanogénérateur, récupération d’énergie Description du projet : Les dispositifs à base de nanofils attirent actuellement un intérêt croissant au sein de la communauté scientifique internationale car le caractère unidimensionnel (1D) leur confère des propriétés (électriques, mécaniques…) uniques. Ces propriétés […] >>

19 septembre 2016

Fabrication et caractérisation de source optique III-V épitaxiée sur Silicium

La demande croissante de performances en terme de transmission de données que ce soit pour des liaisons à grande distance ou des interconnexions inter puce ou intra puce est un défi majeur pour les industries de la microélectronique et des télécommunications. Basées sur les transmissions optiques dans la gamme IR, le domaine des télécoms a […] >>

19 septembre 2016

Simulation atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : Application à la gravure ONO des produits mémoires Flash

Utilisée dans les étapes de fabrication des produits mémoires flash, la gravure ONO, diélectrique inter polysilicium, consiste à graver un empilement de couches ultrafines avec une précision nanométrique (ex: un oxyde de 36A avec arrêt sur nitrure, puis un nitrure de 42A avec arrêt sur oxyde, et enfin 40A d’une couche de 100A d’oxyde). Le […] >>
En naviguant sur notre site, vous acceptez que des cookies soient utilisés pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d’intérêts. En savoir plus
X