Actualités : Technologies micro et nano
08 octobre 2019
Scellement de cavités micrométriques pour applications capteurs MEMS et substrats innovants;
Cadre et contexte : Dans le cadre de son activité sur les substrats avancés, le LETI développe de nombreuses intégrations à base de report de film afin de proposer des intégrations de composants, innovantes et à forte valeur ajoutée. Ces travaux sont réalisés en étroite collaboration avec les laboratoires applicatifs (électronique, RF, MEMS,
) et […] >>
08 octobre 2019
Etude d’architectures de transistors verticaux en GaN
Cadre et contexte : Le LETI transfère actuellement une technologie de composants de puissance AlGaN/GaN épitaxiés sur substrats Silicium 200mm avec un industriel reconnu dans le domaine du développement de composants de puissance (Silicium, SiC,
). Le sujet de stage vise à préparer la future génération de dispositifs GaN qui seront avec une architecture verticale. […] >>
08 octobre 2019
Micro-Transformateurs Magnétiques sur Silicium
Cadre et contexte : Les transformateurs et inductances haute-fréquence sont des composants essentiels pour les circuits électroniques modernes (communications sans fils, régulateurs et convertisseurs de tension, filtres EMI
). Leur miniaturisation à laide de matériaux magnétiques et leur intégration sur silicium suscitent un grand intérêt chez de nombreux industriels de la micro-électronique. Sappuyant sur de […] >>
08 octobre 2019
Modélisation bi ou tridimensionnelle de résonateurs à ondes acoustiques de volume.
Cadre et contexte : Avec larrivée imminente de la 5e génération de téléphonie mobile (5G), le domaine des filtres radiofréquences est en pleine ébullition. Les technologies classiques, basées sur lutilisation de résonateurs à ondes acoustiques de surface ou de volume doivent grandement évoluer afin de répondre aux besoins des nouvelles normes de télécommunications sans fil. […] >>
08 octobre 2019
investigation of the relationship between morphology and RF properties of polycrystalline Si layers for 5G applications
Context: A significant part of RF Front End Modules is integrated on RFSOI substrates that help preserve signal integrity. Under their buried oxide layer, these substrates feature a high-resistivity polycrystalline Si layer. In commercially available products, this layer is deposited and planarized. Two innovative alternative approaches are being investigated in Leti to fabricate this layer. […] >>