Actualités :

Context: Incoming 5G imposes new challenges on RF devices performance such as operating at millimeter-wave frequencies and harsh constraints on linearity to avoid spectral pollution in the adjacent carriers. The best way to efficiently reduce the level of harmonics is to boost the resistivity of the semiconductor beneath the buried oxide. In SOI (Silicon on […] >>

Context : In an RF front end module, the power amplifier is the device seeing the harshest conditions with regard to reliability (temperature, voltage). The lifetime prediction of such devices needs appropriate testing and modeling as the current reliability models are solely based on DC measurements. An RF-based model is then mandatory to accurately estimate […] >>

Cadre et contexte : Avec l’arrivée imminente de la 5e génération de téléphonie mobile (5G), le domaine des filtres radiofréquences est en pleine ébullition. Les technologies classiques, basées sur l’utilisation de résonateurs à ondes acoustiques de surface ou de volume doivent grandement évoluer afin de répondre aux besoins des nouvelles normes de télécommunications sans fil. […] >>

Context: A significant part of RF Front End Modules is integrated on RFSOI substrates that help preserve signal integrity. Under their buried oxide layer, these substrates feature a high-resistivity polycrystalline Si layer. In commercially available products, this layer is deposited and planarized. Two innovative alternative approaches are being investigated in Leti to fabricate this layer. […] >>

Cadre et contexte : Dans le cadre de son activité sur les substrats avancés, le LETI développe de nombreuses intégrations à base de report de film afin de proposer des intégrations de composants, innovantes et à forte valeur ajoutée. Ces travaux sont réalisés en étroite collaboration avec les laboratoires applicatifs (électronique, RF, MEMS, …) et […] >>