Actualités :
08 octobre 2019
Transfert de matériaux 2D pour des applications de la microélectronique
Cadre et contexte: Depuis la découverte du graphène (prix Nobel 2010), lengouement pour les matériaux 2D na cessé de croitre. En effet, ces matériaux présentent des propriétés très particulières et sont donc des candidats sérieux pour la miniaturisation de lélectronique et léconomie dénergie ainsi que pour les applications flexibles. Le stage porte sur létude du […] >>
08 octobre 2019
Phase-Change Memory for 28nm and beyond: New Frontiers and Innovations at the Limits of the Non-Volatile Memory Scaling Roadmap for the Automobile Microcontrollers of Tomorrow
The near future is Internet of Things (IoT), with the need of a data storage infrastructure allowing Big Data processing and Artificial Intelligence (AI) applications. The Memory Laboratory in CEA-LETI is developing the next generations of Non-Volatile Memories, and among them Phase-Change Memory (PCM) is the most mature one. PCM demonstrated capability of high data […] >>
08 octobre 2019
Electrical characterization of HfO2-based Metal/Ferroelectric/Metal and Metal/Ferroelectric/Insulator/Metal structures for emerging ultra-low power IoT memories: FeRAM-capacitance based and FTJ-resistance based respectively
Cadre et contexte : Depuis la découverte de la ferroélectricité dans le HfO2 il y a une dizaine dannées, ce matériau suscite beaucoup dintérêt pour des mémoires ultra faible consommation; plus récemment encore, des résultats préliminaires de jonction tunnel ferroélectriques ont été démonstrés avec ce type de matériau scalable et compatible CMOS. Travail demandé : […] >>
18 décembre 2018
Détection électrique d’ADN sur puce microfluidique
SUJET STAGE Master 2 ou Projet de Fin d’Etudes: Détection électrique d’ADN sur puce microfluidique Le domaine du diagnostic moléculaire in vitro, réalisé rapidement sur site, est en pleine croissance car il répond aux problématiques de la santé, du contrôle de l’environnement, de l’agroalimentaire, de la défense. Les biocapteurs basés sur la détection électrique […] >>
26 novembre 2018
Réalisation de nanofils Si et SiGe pour les dispositifs Gate all around.
Les futures générations de dispositifs CMOS prévoient l’introduction d’architectures tridimensionnelles du type Gate all around (GAA) en remplacement du FiNFET. Un exemple de dispositif consiste à utiliser des nanofils parallèles au substrat et empilés verticalement comme canal de conduction, les matériaux de grille (le diélectrique et le métal) venant enrober ces nanofils (cf. figure 1). […] >>