Actualités : Technologies micro et nano

Contexte: Depuis les dernières 50 années, les processeurs sont basés sur l’architecture de von Neumann et les progrès dans l’intégration à très grande échelle ont permis de réaliser cette architecture computationnelle sur un substrat technologique adéquat. Cependant aujourd’hui la miniaturisation des composantes électroniques n’est plus suffisante pour augmenter les performances et réduire la consommation de […] >>

Context : In an RF front end module, the power amplifier is the device seeing the harshest conditions with regard to reliability (temperature, voltage). The lifetime prediction of such devices needs appropriate testing and modeling as the current reliability models are solely based on DC measurements. An RF-based model is then mandatory to accurately estimate […] >>

Context: Incoming 5G imposes new challenges on RF devices performance such as operating at millimeter-wave frequencies and harsh constraints on linearity to avoid spectral pollution in the adjacent carriers. The best way to efficiently reduce the level of harmonics is to boost the resistivity of the semiconductor beneath the buried oxide. In SOI (Silicon on […] >>

Cadre et contexte Les composants de puissance GaN sur Si sont aujourd’hui vu comme la prochaine génération de composants « mass market » pour la conversion d’énergie électrique. Dans ce cadre, le LETI développe sa propre filière GaN sur Si (compatible CMOS) allant du substrat au module final.  Ces dispositifs doivent opérer des commutations entre un état […] >>

Cadre et contexte: Depuis la découverte du graphène (prix Nobel 2010), l’engouement pour les matériaux 2D n’a cessé de croitre. En effet, ces matériaux présentent des propriétés très particulières et sont donc des candidats sérieux pour la miniaturisation de l’électronique et l’économie d’énergie ainsi que pour les applications flexibles. Le stage porte sur l’étude du […] >>