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C’est un beau résultat pour le partenariat STMicroelectronics – IBM – CEA-Leti sur les transistors CMOS avancés. Deux puits quantiques de silicium-germanium (SiGe), séparés par une fine couche de silicium, ont été réalisés sur un transistor PMOS de seulement 15 nm de longueur de grille. La cohabitation entre le SiGe et le silicium induit une déformation du paramètre de maille de 1,5 % dans le nanofil. Ce transistor dit « cœur-coquille » enregistre ainsi un gain en courant de 60 % par rapport à un transistor conventionnel (canal en Si).
Le point dur de ce développement était la croissance par épitaxie de couches nanométriques de SiGe, sur un cœur de silicium d’à peine 10 nm. Ce travail pionnier a reçu le prix Paul Rappaport, qui récompense le meilleur article de l’année paru dans IEEE Electron Transactions on Electron Devices.


Contact : sylvain.barraud@cea.fr

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